什么叫反向电压？

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标记的电器元件或者只能够单向导通的电器元件上施加和标记不符极性的电压就叫反向电压。比如在交流整流回路中的二极管，在正半周导通，而负半周的电压就是该二极管的反向电压。

要分清楚两个概念——反向电压和反向击穿电压。

反向电压：只要对二极管施加反向的电压就叫反向电压。一般反向电压没有数值定义。无论电压多大，只要是反向的，就是反向电压。

反向击穿电压：对二极管施加反向电压时，当PN结发生齐纳或雪崩击穿、并且反向电流达到规定的数值时，此时对应的电压就叫反向击穿电压。

LED通常不会使用在有反向电压出现的场合，所以芯片厂商就忽略了反向击穿电压这个参数。他们只考虑到漏电对发光和芯片质量的影响。而漏电通过正向施压是无法区分的。故采用反向的方法来测试。由于LED的正向电压通常小于4V，所以反向测试电压只要略大于正向电压就可以了。所以业界规定用5V电压。这个5V电压绝不是指反向击穿电压。而仅仅是用来测试漏电的、人为规定一个条件值。比如说，测试红、黄光LED，这个条件规定到4V也是合理的。

不同光色LED的反向击穿电压是不同的，差异也是很大的。一般而言，蓝光芯片的反向击穿电压可以大于15V，好的可以到30V以上。有些红、黄光LED的反向击穿电压可以达到百伏以上。

另外，现在很多LED封装时都加有齐纳管，齐纳管钳位了LED芯片的反向电压。这种封装的LED要测试LED芯片的反向击穿电压就不可能了。所以，如果客户要求反向电压要高的，一方面要选用反向击穿电压高的芯片，另一方面不能并接齐纳管。

影响反向击穿电压的因素，一方面是芯片生产工艺，另一方面是沾污。工艺不良和沾污，都会导致漏电。很多封装厂的洁净度不够，容易因沾污导致漏电。很多人将此误认为是静电原因。如果是学过半导体器件制造或做过半导体芯片制造的人，就知道沾污影响的重要性。洁净度是半导体芯片制造的一个关键因素。没有洁净度保证，制造半导体芯片无从谈起。芯片封装也是需要一定的洁净度保证的。

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